硅片隱裂檢測

硅片隱裂檢測

硅片隱裂是指硅片在制造或使用過程中出現(xiàn)的微小裂紋，這些裂紋通常不易用肉眼觀察到，但會對硅片的性能和可靠性產(chǎn)生影響，中科檢測可提供硅片隱裂檢測服務，檢測報告具備CMA資質。
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硅片隱裂 檢測介紹

硅片隱裂是指硅片在制造或使用過程中出現(xiàn)的微小裂紋，這些裂紋通常不易用肉眼觀察到，但會對硅片的性能和可靠性產(chǎn)生影響。硅片隱裂的產(chǎn)生可能由多種因素引起，如機械應力、溫度變化、材料缺陷等。

在半導體制造過程中，硅片隱裂可能導致芯片的性能下降或失效，因此需要通過檢測設備進行檢測和篩選。硅片隱裂的檢測通常采用光學顯微鏡、紅外成像等技術。在光伏產(chǎn)業(yè)中，硅片隱裂也是一個重要的問題，因為隱裂會影響太陽能電池的光電轉換效率和使用壽命。

因此，光伏硅片的隱裂檢測和修復技術也在不斷發(fā)展。硅片隱裂的檢測和控制對于提高半導體器件和光伏電池的性能和可靠性具有重要意義。

中科檢測可提供硅片隱裂檢測服務，檢測報告具備CMA資質。

硅片隱裂 檢測方法

1.  暗場散射法：入射光被硅片表面反射，若硅片存在微裂紋缺陷，則入射光在微裂紋區(qū)域的散射會加強。在暗室環(huán)境中，通過成像系統(tǒng)對硅片成像并分析散射光強的分布即可識別出硅片中的微裂紋缺陷。

2.  明場透射法：入射光透射過硅片表面，若硅片存在微裂紋缺陷，則微裂紋區(qū)域的透射光強較正常區(qū)域低，通過成像系統(tǒng)對硅片成像并分析透射光強的分布即可識別出硅片中的微裂紋缺陷


硅片隱裂 測試環(huán)境

溫度：18 ℃~35 ℃，且應保持恒溫

濕度：相對濕度≤65%

潔凈度：不低于8級潔凈室


硅片隱裂檢測 檢測標準

SJT 11632-2016  太陽能電池用硅片微裂紋缺陷的測試方法

GB/T 14264 半導體材料術語

GB/T 25074 太陽能級多晶硅

GB/T 25076 太陽電池用硅單晶


硅片隱裂檢測 服務優(yōu)勢

實力保障：國科控股旗下獨立第三方檢測機構

周期更短：5-10個工作日可出具檢測報告

優(yōu)質服務：工程師1對1服務，全程項目跟進

技術先進：科研院所技術沉淀，先進儀器設備

嚴謹公正：公正、科學、準確、高效

多家分部：接受全國上門取樣/寄樣服務